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厂商型号

FQD2N90TF 

产品描述

Trans MOSFET N-CH 900V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

内部编号

3-FQD2N90TF

#1

数量:17054
1+¥5.8558
25+¥5.4705
100+¥5.2394
500+¥5.0083
1000+¥4.7771
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#2

数量:0
最小起订量:1
美国费城
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#3

数量:3
最小起订量:1
加拿大温哥华
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FQD2N90TF产品详细规格

规格书 FQD2N90TF datasheet 规格书
FQD2N90TF datasheet 规格书
D-PAK Tape and Reel Data
标准包装 2,000
FET 型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET特点 Standard
漏极至源极电压(VDSS) 900V
电流-连续漏极(编号)@ 25°C 1.7A
Rds(最大)@ ID,VGS 7.2 Ohm @ 850mA, 10V
VGS(TH)(最大)@ Id 5V @ 250µA
栅极电荷(Qg)@ VGS 15nC @ 10V
输入电容(Ciss)@ Vds的 500pF @ 25V
功率 - 最大 2.5W
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 D-Pak
包装材料 Tape & Reel (TR);;其他的名称;
包装 3DPAK
通道模式 Enhancement
最大漏源电压 900 V
最大连续漏极电流 1.7 A
RDS -于 7200@10V mOhm
最大门源电压 ±30 V
典型导通延迟时间 15 ns
典型上升时间 35 ns
典型关闭延迟时间 20 ns
典型下降时间 30 ns
工作温度 -55 to 150 °C
安装 Surface Mount
最大门源电压 ±30
包装宽度 6.1
PCB 2
最大功率耗散 2500
最大漏源电压 900
欧盟RoHS指令 Compliant
最大漏源电阻 7200@10V
每个芯片的元件数 1
最低工作温度 -55
供应商封装形式 DPAK
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 150
渠道类型 N
包装长度 6.6
引脚数 3
包装高度 2.3
最大连续漏极电流 1.7
封装 Tape and Reel
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
FET特点 Standard
安装类型 Surface Mount
电流 - 连续漏极(Id ) @ 25 °C 1.7A (Tc)
的Vgs(th ) (最大)@ Id 5V @ 250µA
漏极至源极电压(Vdss) 900V
标准包装 2,000
供应商设备封装 D-Pak
开态Rds(最大)@ Id ,V GS 7.2 Ohm @ 850mA, 10V
FET型 MOSFET N-Channel, Metal Oxide
功率 - 最大 2.5W
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
输入电容(Ciss ) @ VDS 500pF @ 25V
闸电荷(Qg ) @ VGS 15nC @ 10V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 FQD2N90TFCT

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